SVM可提供全系列的光刻胶产品列表，包括宽带隙、I-Line、248nm、193nm、电子束、正性、负性、湿法和干法光刻胶等。SVM为所有直径晶圆的图案化&蚀刻工艺提供光刻胶解决方案。项目设计规则决定了特定的光刻胶类型/性能。SVM有能力处理与CMOS、MEMS、TSV、FEOL、BEOL等相关的项目。这使我们能够为这些和其他应用创建大量的光刻胶类型组合。 SVM在为测试晶圆绘制图案、设计短环流通路、应用坚膜无图形光刻胶作为牺牲性保护层、蚀刻研究等方面有着悠久的历史。SVM通过旋转法或喷涂法为一系列的应用制备无图形光刻胶。有关具体项目的问题，请致电（408）844-7100联系我们或发送电子邮件至 [email protected] 。

SVM提供的光刻胶种类:

I-Line光刻胶

I-Line是一种通用型抗蚀剂薄膜，在紫外光谱中敏感于365nm处。I-Line光刻胶产品通常是对G线（435nm）和H线（405nm）具有光灵敏度的宽带光刻胶，但也可以在其光谱灵敏度内进行单色曝光。这种薄膜具有优良的附着力和电镀特性，可以精确控制曝光，因此非常适合用于MEMS和晶圆级封装工艺，如Bumping工艺。

193nm、248nm深紫外（DUV）光刻胶

对于更先进的光刻应用，SVM提供DUV 248nm KrF和193nm ArF光刻胶产品（产品可涂有或不涂防反射涂层）。

1. 准备衬底 – 清洗衬底，然后通过去水烘烤和/或添加附着力促进剂，以便为剩余工艺准备晶圆。
2. 光刻胶旋涂 – 通过旋涂沉积法制备成分为光刻胶和溶剂混合物的薄而均匀的涂层。该薄膜是在晶圆旋转时（动态点胶）或不旋转时（静态点胶）沉积的。
   
3. 前烘 – 在旋涂之后，20-40%的薄膜仍然是溶剂状态。添加前烘步骤可使光刻胶干燥并使薄膜稳定。这个步骤减少了薄膜的厚度，改变了薄膜的特性，提高了附着力，并使其不容易受到颗粒污染。
4. 曝光 – 这会改变薄膜的溶解度，以便通过将其暴露在光线下对晶圆进行图案化。目前有3种形式的曝光：
   • 接触式曝光 – 掩膜与光刻胶接触。
   • 接近式曝光 – 掩膜高于光刻胶约15-20μm。
   • 投影式曝光 – 曝光系统通过一个狭缝式曝光带将光从掩模投射到晶圆表面。为了确定正确的曝光，工程师要测量光的强度、狭缝的大小和衬底的旋转速度。投射式曝光有两种方式：
     1. 扫描式 – 计算机扫描晶圆表面，然后光在周围移动以曝光正确的区域。
     2. 步进式 – 晶圆的小部分区域暴露在光线下。
5. 曝光后烘 – 这个步骤一般是针对具有高分辨率（<1μm）的晶圆。在大多数其他情况下，衬底直接从曝光到显影。
6. 显影 – 晶圆经过化学冲洗，以暴露出掩膜留下的蚀刻。
7. 剥离光刻胶 – 化学去除或蚀刻去除所有剩余的光刻胶，以便在晶圆上生成最终图案。