光刻工艺

标准测试图案可用于CMP、蚀刻、清洁、封装和生物技术应用。除了我们的标准测试图案外，SVM还接受基于最终用户设计的定制图案项目。

• 材料：硅、玻璃
• 直径： 50mm – 300mm
• 光刻方式：浸入式、扫描式、步进式、接近式/接触式、电子束式
• 技术节点：65nm、90nm、130nm、180nm、250nm及以上
• 光刻胶：193nm、 248nm(DUV)、I线式
• 蚀刻：湿法蚀刻、RIE、DRIE、Lift-off工艺
• CMP：W、Cu、 Al、 oxide、TEOS、SiN等
• 计量： 掩模/光罩制造、扫描电镜、横截面、电子测试等

测试光罩：

• CMP研磨和冲蚀
• 浅沟道隔离 (STI)
• 镶嵌及双镶嵌工艺
• 线/空间阵列
• 再分配层(RDL)
• 通孔阵列
• 焊盘
• 菊花链
• 存储模式
• 电子测试结构
• 晶圆级封装 (WLP)
• TSV – 硅通孔
• Cu柱

特色产品：

• 贵金属： Au、Pd、Ag、Pt
• 厚光刻胶
• 聚酰亚胺

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