碳化硅的特性：

  • 高温下性能稳定。
  • 热膨胀系数低。碳化硅可以承受高达1600℃的温度而不失去强度。
  • 高耐腐蚀、侵蚀和氧化的能力。
  • 卓越的硬度特性；钻石是唯一比其更硬的物质。
  • 开关速度快，可提高微型化程度。
  • 优异的导热性能。

碳化硅沉积工艺：

沉积碳化硅有两种主要方法：物理气相沉积（PVD）和等离子体增强化学气相沉积（PECVD）。

碳化硅物理气相沉积是使用两种方法之一将粉末碳化硅变成蒸汽：在高温真空中或用气态等离子体进行。待所有材料气化后，将碳化硅移至含有晶圆的部分或全部真空炉中。一旦进入反应炉，蒸汽就会沉淀在衬底表面，从而形成一层薄薄的碳化硅层。

为了通过PECVD沉积碳化硅，CVD反应炉将晶圆暴露在等离子体中，以催化衬底表面的化学反应。