• 可对裸硅、图案化、SOI晶圆以及其他非硅材料进行刀片划片、激光划片和隐形切割。
  • 划片服务适用于所有直径为50mm至300mm的晶圆。
  • 图案化和非图案化的晶圆衬底。
  • 拥有处理极薄衬底的专门技术，实现最大化产量。

SVM提供拾放以及大量的裸晶封装选择，包括胶/环式、自黏盒式和华夫盘式封装。

晶圆划片方法

晶圆划片是将晶圆切割成更小部分（称为晶粒）的过程。SVM使用精密金刚石切割刀片将硅和其他各种类型的晶圆衬底切割成所需的任何尺寸。

目前有几种不同的方法可以将晶圆切割成晶粒。虽然这些工艺大都相似，但在不同的应用中都有其独特的优势。

隐形切割

隐形切割属于激光切割方法，利用半透明波长的光穿透衬底表面，从内向外进行切割。首先，将晶圆安装于粘合剂上，以防止任何不必要的移动。该过程首先以晶圆的中心点为目标，制造一条未到达表面的小裂缝。由于晶圆切割是从晶圆内部开始的，因此找到正确的起点对于该方法的成功至关重要。从内部开始切割还可以防止硅粉尘和颗粒对衬底表面造成潜在的损害。激光加工完成后，需要将晶圆分割成一个个单独的晶粒。隐形切割可能不适用于具有干扰激光的薄膜或图案的晶圆，通常建议用于裸硅。

为了分离晶粒，将固定晶圆的胶带从两侧拉出，并对晶圆施加拉伸应力。该过程从晶圆内部开始，因此在切割过程中不会有硅颗粒会污染衬底。另外切割过程中产生的热效应极低，所以不需要任何水或冷却剂。

基于工艺可用性程度，隐形切割的最低订购量可能高于其他切割方法。如果您对此有任何疑问，请联系我们。

刀片划片

传统的刀片划片法需要将晶圆安装在金属框架内的胶粘膜上。然后，工程师将框架和晶圆放置在卡盘上进行切割。旋转速度在15,000至30,000转/分之间的金刚石刀片将晶圆切割成一个个单独的晶粒。当刀片切割晶圆的时，沿着切割线喷洒水或其他冷却剂。冷却剂有助于控制温度，防止灰尘颗粒和锯片污染晶圆。

划线

划线是刀片划片的另一种形式，利用划线器（通常是金刚石）在晶圆的晶面上移动，其压力刚好足以划伤晶圆。在划伤晶圆后，施加到背面的压力会使晶圆沿着划线断裂。这种方法在某些应用中效果更好，因为过程非常快，而且产生的残余应力最小。由于这在切割过程中不会产生热量，因此不需要冷却剂。

激光烧蚀切割

与划线和刀片划片相比，激光切割不使用物理刀片来切割衬底。激光烧蚀切割是一种利用高度集中的激光去除材料的工艺。大多数应用使用脉冲激光器进行切割，但当需要更高强度光束时也会使用连续激光器。划片过程是通过将光束引向晶圆表面，沿着划定的图案进行切割而完成的。在划片过程中，喷洒水对衬底进行冷却，以保护其免受热损伤和颗粒污染。