区熔晶圆(FZ)

SVM区熔晶圆样品规格：

• 区熔晶圆
• 直径：50mm, 76mm, 100mm, 125mm, 150mm, 200mm
• 类型/掺杂剂：N型/磷、P型/硼、本征型
• 晶向：<100>, <110>, <111>
• 电阻率： <5 ohm-cm 至 >10,000 ohm-cm – SVM可供应多种电阻率范围的区熔晶圆，请联系SVM，让我们为您查看是否有您所需要的产品规格。
• 厚度：可提供与直径对应的SEMI标准厚度的晶圆产品，并且可根据需求提供定制厚度的晶圆产品。
• 切面： 1 / SEMI标准 – 决于特定直径的SEMI标准。
• TTV： < 5μm
• 正面：抛光
• 背面：蚀刻或抛光–根据其他项目规范，两者均可。

区熔晶圆制造

区熔(FZ)晶圆是一种替代直拉法(CZ)晶圆的产品，纯度极高。这些晶圆杂质浓度低、耐高温能力强。区熔(FZ)晶圆的优良特性使其在各种应用中比直拉法(CZ)晶圆更具优势。悬浮区熔法(FZ)生长过程开始于一根缓慢旋转的硅棒和加热线圈。当加热线圈沿着硅棒移动时，硅棒的末端被部分融化。当硅重新凝固时，当加热线圈继续旋转并沿硅棒移动时，晶体缺陷会留在熔化的区域。在整个硅棒通过加热线圈并添加掺杂物后，冷却并切片。整个生长过程必须在真空中进行，或者在只包含惰性气体的环境中进行，从而使硅棒在污染最小的环境中生长。

根据最终用户的应用需求，在生长过程中，可以对硅棒进行正掺杂（P型）、负掺杂（N型）或完全不掺杂（本征型）。FZ硅棒的高纯度意味着硅具有最小的碳和氧污染，以及最小的氮含量，以控制硅棒内的微小缺陷。它们的特性允许更有效的掺杂过程，有时产生的电阻率测量值可达50,000 ohm-cm。

区熔晶圆通常用于制造离散式功率器件、高效太阳能电池、射频（RF）芯片和光学产品。这些晶圆在高温应用中也很普遍，因为氧和碳等元素在较高温度下不太可能变得活跃并损坏晶圆。

SVM供应直径从50mm至200mm的区熔晶圆。本征型晶圆也可根据具体需求提供定制化产品。