在晶圆注入过程中，离子在电场中被加速，由此产生的光束射向靶晶圆。这种方法很常见，因为它可以实现非常精确的剂量控制，从而使颗粒在靶晶圆上的位置和深度更加精确。离子注入是一个低温过程。

首先，离子源将离子以垂直于靶晶圆的光束射出（1）。当靶晶圆离开离子源时，一系列磁场效应会去除不属于靶晶圆的多余离子（2）。

一旦离子束离开离子源，贯穿整个系统的透镜组确保离子束聚焦在靶晶圆上（3）。

在离子束离开离子源并经历第一次磁过滤后，一道称为质量分离的工序利用另一个磁场将离子精确旋转90°（4）。在这个阶段，如果离子的原子量与磁场的原子量不完全匹配，就会被过滤掉。因此这可以过滤掉任何杂质离子。

接下来，离子进入加速通道（5）。在加速通道中，电压范围从10-500KeV（千电子伏特），根据所需的深度，离子束被加速到足够高的速度，以便将离子注入到靶晶圆上。根据不同的应用需求，使用低至1 KeV和高至5 MeV（兆电子伏特）的速度来加速离子束中的离子。当达到最大速度时，离子束中被加速到200KeV的硼粒子可以以高达2,000,000 m/s的速度轰击靶晶圆表面。

在离子束与晶圆表面（6）接触后，由于离子束的高速特性，仅有大约5%的离子会与晶圆键合。然后对晶片进行退火以固化键合 。

SVM的晶圆注入能力：

  • 直径：25mm – 300mm
  • 低、中、高剂量的注入方案
  • 注入能量范围：1KeV – 3,000KeV
  • 可为裸露和图案化的晶圆衬底提供注入服务
  • 可接受小批量原型和大批量生产订单。(离子注入是一个小批量工艺，其价格往往高于其他标准服务。)